Mätstation för kapslade GaN HFET komponenter

Sammanfattning

Detta examensarbete behandlar högeffektstransistorer och de värmeproblem som medföljer hög effekt i en liten komponent. Närmare behandlas alternativa metoder för mätning av värmen i komponenten för applicering i utvecklingsmiljö.

En mätstation har tagits fram för att komparativt mäta värmens påverkan på komponenten med en artikel publicerad av McAlister et al. [1] som förlaga. I artikeln mäts förändringen av strömmen genom komponenten, för att åskådliggöra värmens inverkan.

Resultatet av arbetet är en för ändamålet fungerande mätstation samt rekommendationer för användning, förbättring och vidareutveckling av densamma.